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Experimentelle Und Theoretische Untersuchungen Der Degradation Von Ultradunnen Mos-Gatedielektrika - Kristian Hafkemeyer
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Experimentelle Und Theoretische Untersuchungen Der Degradation Von Ultradunnen Mos-Gatedielektrika - Paperback

2011, ISBN: 3832527915

Paperback, [EAN: 9783832527914], Logos Verlag Berlin, Logos Verlag Berlin, Book, [PU: Logos Verlag Berlin], 2011-02-23, Logos Verlag Berlin, Diese Arbeit beschreibt experimentelle und ato… More...

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2011, ISBN: 9783832527914

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Details of the book
Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika
Author:
Title:
ISBN:

9783832527914


Diese Arbeit beschreibt experimentelle und atomistische Simulationen zur Zuverlassigkeitsanalyse von integrierten MOS-Transistoren in einer 130nm CMOS-Technologie. Eine Teststruktur mit mehr als 1.024 Einzelelementen zur automatischen Erhebung einer grossen Statistik bezuglich der Analogeigenschaften der Transistoren wurde hergestellt. Zusatzlich zu den elektrischen Analysen des Transistors wurden atomistische Modelle des Dielektrikums aufgebaut, um mittels quantenchemischen Simulationen die Degradation naher zu untersuchen und die Simulationsdaten mit dem Experiment zu vergleichen.

Details of the book - Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika


EAN (ISBN-13): 9783832527914
ISBN (ISBN-10): 3832527915
Paperback
Publishing year: 2011
Publisher: Logos Verlag Berlin

Book in our database since 2015-03-13T22:53:05+00:00 (London)
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ISBN/EAN: 9783832527914

ISBN - alternate spelling:
3-8325-2791-5, 978-3-8325-2791-4
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Book author: hafkemeyer

Information from Publisher

Author: Kristian Hafkemeyer
Title: Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika
Publisher: Logos Berlin
Publishing year: 2011-02-23
Language: German
36,50 € (DE)
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Not available, publisher indicates OP

BC; PB; Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Elektronik, Nachrichtentechnik; Elektrotechnik, Elektronik; Degradation; MOS-FET; Gatedielektrika; CMOS; Matrix-Teststrukturen; 2010; TU Hamburg-Harburg

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